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Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 7.5 Vcc

Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 7.5 Vcc

$ 1,099.00

El Transistor MRF1517T1 está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este...

  • SKU: MRF-1517-T1
  • Brand: SYSCOM PARTS
  • Availability: In Stock
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Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 100 Watt, TO-3PA .

Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 100 Watt, TO-3PA .

Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 100 Watt, TO-3PA .

$ 199.00

Características Principales Voltaje colector-base máximo: 500 V Corriente colector máxima: 15 A Potencia disipación colector: 80 W Encapsulado TO-3PB Temperatura de unión: 150 °C Alta velocidad de conmutación Alta confiabilidad...

  • SKU: 2SC-3451
  • Brand: SYSCOM
  • Availability: In Stock
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Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM .

Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM .

Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM .

$ 199.00

Características Principales Transistor NPN de silicio para alta potencia Voltaje de colector a base hasta 500 V Corriente máxima de 15 A Capacidad de disipación hasta 80 Watt Empaque TO-3PN...

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Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.

Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.

Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.

$ 1,799.00

Características principales Potencia de salida de hasta 84W típicamente Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz Empaque en cinta y carrete: 500 unidades por carrete Diodo integrado de protección...

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Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

$ 99.00

Transistor de Potencia MOSFET Tipo: Canal P Voltaje: 50 Volt Corriente: 18 Amp. Rds: 0.14 Ohm Potencia: 74 Watt Paquete: TO-220AB Aplicación: Analizador III Características Técnicas FET Type: P-Channel Technology:...

  • SKU: IRF9Z30
  • Brand: SYSCOM
  • Availability: In Stock
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Transistor de Potencia NPN de Alto Voltaje en Silicio, 400 Vc-b, 10 A. 80 Watt, TO-247.

Transistor de Potencia NPN de Alto Voltaje en Silicio, 400 Vc-b, 10 A. 80 Watt, TO-247.

Transistor de Potencia NPN de Alto Voltaje en Silicio, 400 Vc-b, 10 A. 80 Watt, TO-247.

$ 99.00

Transistor de Potencia NPN de Alto Voltaje en Silicio, 400 Vc-b, 10 A. 80 Watt, TO-247. Modelo: 2SC2625 - Marca: ASTRON Características Principales Transistor NPN de silicio con 400 Vc-b...

  • SKU: 2SC-2625
  • Brand: ASTRON
  • Availability: In Stock
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Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N).

Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N).

Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N).

$ 1,499.00

Características Principales Frecuencia de operación: Hasta 470 MHz Potencia de salida: 70 Watts Tensión de alimentación: 12.5 Vdc Ganancia: 11.5 dB Eficiencia: 60% Tecnología: MOSFET de canal N lateral Capacidad...

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Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04.

Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04.

Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04.

$ 99.00

Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04. CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES DEL PRODUCTO Transistor NPN de alta frecuencia para 470 MHz Tensión operativa...

  • SKU: MRF515
  • Brand: SYSCOM
  • Availability: In Stock
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Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E

Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E

Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E

$ 1,899.00

Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente para aplicaciones de amplificación de señal en radiofrecuencia. Características principales Frecuencia...

  • SKU: 2SC3133
  • Brand: SYSCOM
  • Availability: In Stock
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Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.

Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.

Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.

$ 299.00

Características Principales Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF Frecuencia de operación entre 2 y 30 MHz Manejo de potencia hasta 12.5 Watts Voltaje de colector-emisor hasta 12.5 VCC Encapsulado...

  • SKU: MRF433
  • Brand: SYSCOM
  • Availability: In Stock