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Transistor de Potencia NPN de Alto Voltaje en Silicio, 400 Vc-b, 10 A. 80 Watt, TO-247.
Transistor de Potencia NPN de Alto Voltaje en Silicio, 400 Vc-b, 10 A. 80 Watt, TO-247.
$ 99.00
Transistor de Potencia NPN de Alto Voltaje en Silicio, 400 Vc-b, 10 A. 80 Watt, TO-247. Modelo: 2SC2625 - Marca: ASTRON Características Principales Transistor NPN de silicio con 400 Vc-b...
- SKU: 2SC-2625
- Marca: ASTRON
- Disponibilidad: Disponible
Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N).
Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N).
$ 1,499.00
Características Principales Frecuencia de operación: Hasta 470 MHz Potencia de salida: 70 Watts Tensión de alimentación: 12.5 Vdc Ganancia: 11.5 dB Eficiencia: 60% Tecnología: MOSFET de canal N lateral Capacidad...
- SKU: B2114
- Marca: TPL COMMUNICATIONS
- Disponibilidad: Disponible
Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04.
Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04.
$ 99.00
Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04. CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES DEL PRODUCTO Transistor NPN de alta frecuencia para 470 MHz Tensión operativa...
- SKU: MRF515
- Marca: Syscom
- Disponibilidad: Disponible
Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E
Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E
$ 1,899.00
Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente para aplicaciones de amplificación de señal en radiofrecuencia. Características principales Frecuencia...
- SKU: 2SC3133
- Marca: Syscom
- Disponibilidad: Disponible
Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.
Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.
$ 299.00
Características Principales Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF Frecuencia de operación entre 2 y 30 MHz Manejo de potencia hasta 12.5 Watts Voltaje de colector-emisor hasta 12.5 VCC Encapsulado...
- SKU: MRF433
- Marca: Syscom
- Disponibilidad: Disponible
Transistor Diodo SCR de 25 Amper, 20 Watt para Fuentes ASTRON Convencionales RS-12A y RS-20A.
Transistor Diodo SCR de 25 Amper, 20 Watt para Fuentes ASTRON Convencionales RS-12A y RS-20A.
$ 99.00
Transistor Diodo SCR de 25 Amper, 20 Watt para Fuentes ASTRON Convencionales RS-12A y RS-20A. Marca: SYSCOMModelo: MCR225 Características Principales Transistor SCR soporta corriente hasta 25 amp Optimizado para fuentes...
- SKU: MCR-225
- Marca: Syscom
- Disponibilidad: Disponible
- SKU: EMP3001
- Marca: Syscom
- Disponibilidad: Disponible
Transistor MOSFET MFE-130 Doble Puerta, Canal N, 105 MHz, TO-18.
Transistor MOSFET MFE-130 Doble Puerta, Canal N, 105 MHz, TO-18.
$ 99.00
Transistor MOSFET MFE-130 Doble Puerta, Canal N, 105 MHz, TO-18. Características Principales Transistor MOSFET de doble puerta para alta eficiencia Canal N para control preciso del flujo eléctrico Banda de...
- SKU: MFE130
- Marca: Syscom
- Disponibilidad: Disponible
Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.
Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.
$ 699.00
Características Principales Transistor NPN de potencia RF de silicio Frecuencia operativa de hasta 30 MHz Tensión de colector-emisor de 13.6 VCC Capacidad de corriente de 4.0 Amperios Potencia de salida...
- SKU: MRF475
- Marca: Syscom
- Disponibilidad: Disponible
Transistor NPN de Potencia RF, Silicio en 470 MHz, 6.2 dB, 25 Watt, 316-01.
Transistor NPN de Potencia RF, Silicio en 470 MHz, 6.2 dB, 25 Watt, 316-01.
$ 899.00
Características Principales Transistor NPN de potencia RF Frecuencia de operación: 470 MHz Ganancia: 6.2 dB Potencia de salida: 25 Watt Tecnología de silicio avanzada Ratings Máximos Voltage Colector-Emisor (VCEO): 16...
- SKU: MRF644
- Marca: Syscom
- Disponibilidad: Disponible