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Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 100 Watt, TO-3PA .
Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 100 Watt, TO-3PA .
$ 199.00
Características Principales Voltaje colector-base máximo: 500 V Corriente colector máxima: 15 A Potencia disipación colector: 80 W Encapsulado TO-3PB Temperatura de unión: 150 °C Alta velocidad de conmutación Alta confiabilidad...
- SKU: 2SC-3451
- Brand: SYSCOM
- Availability: In Stock
Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.
Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.
$ 99.00
Transistor de Potencia MOSFET Tipo: Canal P Voltaje: 50 Volt Corriente: 18 Amp. Rds: 0.14 Ohm Potencia: 74 Watt Paquete: TO-220AB Aplicación: Analizador III Características Técnicas FET Type: P-Channel Technology:...
- SKU: IRF9Z30
- Brand: SYSCOM
- Availability: In Stock
Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04.
Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04.
$ 99.00
Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04. CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES DEL PRODUCTO Transistor NPN de alta frecuencia para 470 MHz Tensión operativa...
- SKU: MRF515
- Brand: SYSCOM
- Availability: In Stock
Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E
Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E
$ 1,899.00
Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente para aplicaciones de amplificación de señal en radiofrecuencia. Características principales Frecuencia...
- SKU: 2SC3133
- Brand: SYSCOM
- Availability: In Stock
Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.
Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.
$ 299.00
Características Principales Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF Frecuencia de operación entre 2 y 30 MHz Manejo de potencia hasta 12.5 Watts Voltaje de colector-emisor hasta 12.5 VCC Encapsulado...
- SKU: MRF433
- Brand: SYSCOM
- Availability: In Stock
Transistor Diodo SCR de 25 Amper, 20 Watt para Fuentes ASTRON Convencionales RS-12A y RS-20A.
Transistor Diodo SCR de 25 Amper, 20 Watt para Fuentes ASTRON Convencionales RS-12A y RS-20A.
$ 99.00
Transistor Diodo SCR de 25 Amper, 20 Watt para Fuentes ASTRON Convencionales RS-12A y RS-20A. Marca: SYSCOMModelo: MCR225 Características Principales Transistor SCR soporta corriente hasta 25 amp Optimizado para fuentes...
- SKU: MCR-225
- Brand: SYSCOM
- Availability: In Stock
- SKU: EMP3001
- Brand: SYSCOM
- Availability: In Stock
Transistor MOSFET MFE-130 Doble Puerta, Canal N, 105 MHz, TO-18.
Transistor MOSFET MFE-130 Doble Puerta, Canal N, 105 MHz, TO-18.
$ 99.00
Transistor MOSFET MFE-130 Doble Puerta, Canal N, 105 MHz, TO-18. Características Principales Transistor MOSFET de doble puerta para alta eficiencia Canal N para control preciso del flujo eléctrico Banda de...
- SKU: MFE130
- Brand: SYSCOM
- Availability: In Stock
Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.
Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.
$ 699.00
Características Principales Transistor NPN de potencia RF de silicio Frecuencia operativa de hasta 30 MHz Tensión de colector-emisor de 13.6 VCC Capacidad de corriente de 4.0 Amperios Potencia de salida...
- SKU: MRF475
- Brand: SYSCOM
- Availability: In Stock
Transistor NPN de Potencia RF, Silicio en 470 MHz, 6.2 dB, 25 Watt, 316-01.
Transistor NPN de Potencia RF, Silicio en 470 MHz, 6.2 dB, 25 Watt, 316-01.
$ 899.00
Características Principales Transistor NPN de potencia RF Frecuencia de operación: 470 MHz Ganancia: 6.2 dB Potencia de salida: 25 Watt Tecnología de silicio avanzada Ratings Máximos Voltage Colector-Emisor (VCEO): 16...
- SKU: MRF644
- Brand: SYSCOM
- Availability: In Stock