Diodo Shottky 40V 3A, SMD, TO-252

Diodo Shottky 40V 3A, SMD, TO-252

Estos dispositivos de última generación están diseñados para su uso como rectificadores de salida, diodos de rueda libre, de protección y de dirección en fuentes de alimentación conmutadas, inversores y...

Resistencia SMD de 75 KOhms, 1/8 W 5%

Resistencia SMD de 75 KOhms, 1/8 W 5%

Características Tamaño pequeño y ligero Elemento resistivo de película gruesa de esmalte metálico y tres capas de electrodos Compatible con máquinas de colocación Adecuado tanto para soldadura por reflujo como...

Capacitor Electrolítico de Aluminio, Radial de 3300 µFd, 25 Vcc, 105 °C, 18 x 25 mm.

Capacitor Electrolítico de Aluminio, Radial de 3300 µFd, 25 Vcc, 105 °C, 18 x 25 mm.

Características principales Capacitancia de 3300 μF para alta eficiencia Voltaje nominal de 25 VCC seguro Diseño radial compacto 18 x 25 mm Temperatura de operación hasta 105 °C Electrolítico de...

Puente Rectificador de 2 Ampers

Puente Rectificador de 2 Ampers

Ideal para Circuitos Impresos. Hasta 50 Amps, en sobre picos. Fabricado en Epoxy.

ECG2395 Transistor 60 V, 35 A, 220 AB.

ECG2395 Transistor 60 V, 35 A, 220 AB.

MOSFET Canal-N, 200 Volt, 40 A, TO-220AB.

MOSFET Canal-N, 200 Volt, 40 A, TO-220AB.

 MOSFET Canal-N, 200 V., 40 Amp.,160Watt,  TO-220AB.Esta serie de MOSFET, fabricada con el proceso STripFET exclusivo de STMicroelectronics, ha sido diseñada específicamente para minimizar la capacitancia de entrada y la...

Inductor de Modo Común, montaje en superficie de 790uH

Inductor de Modo Común, montaje en superficie de 790uH

Descripción Inductancias de modo común torroidales de montaje en superficie de tres tamaños que proporcionan un aislamiento de 300 Vcc Gama de inductancias de 5,5uH a 1600uH Gama de corrientes...

Diodo de protección contra ESD / Diodos TVS 1,500W 15V Unidireccional

Diodo de protección contra ESD / Diodos TVS 1,500W 15V Unidireccional

Descripción La serie TVS de 1.5KE está diseñada para proteger equipos sensibles contra descargas electrostáticas y sobretensiones eléctricas. Se utilizan para sobretensiones inferiores a 1500 W 10/1000 μs. Esta tecnología...

Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM .

Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM .

Características Principales Transistor NPN de silicio para alta potencia Voltaje de colector a base hasta 500 V Corriente máxima de 15 A Capacidad de disipación hasta 80 Watt Empaque TO-3PN...

Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 7.5 Vcc

Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 7.5 Vcc

El Transistor MRF1517T1 está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este...